Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDMS8622
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDMS8622-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Hàng tồn kho:
10600 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839486
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDMS8622 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
400 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-PQFN (5x6)
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
FDMS86
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDMS8622TR
FDMS8622CT
FDMS8622DKR
FDMS8622-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NTD70N03RG
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
FDP2614
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223