Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDMS86350
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDMS86350-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Mô tả chi tiết:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 130A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Hàng tồn kho:
22423 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12850378
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDMS86350 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
80 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
25A (Ta), 130A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
8V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
10680 pF @ 40 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-PQFN (5x6)
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
FDMS86
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2156-FDMS86350-488
FDMS86350CT
FDMS86350TR
FDMS86350DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRFS750A
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
FCD4N60TM
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
