Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDN339AN
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDN339AN-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Hàng tồn kho:
46799 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12838287
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDN339AN Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
700 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
FDN339
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2156-FDN339AN-OS
FDN339ANTR
ONSONSFDN339AN
FDN339ANCT
FDN339ANDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
