Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDN359AN
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDN359AN-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Hàng tồn kho:
34550 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12848120
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDN359AN Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.7A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
480 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
FDN359
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDN359ANDKR
ONSONSFDN359AN
FDN359AN_F095
FDN359ANCT
FDN359ANTR
2156-FDN359AN-OS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDMS8670S
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
FDD6630A
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
NTB45N06LT4
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
