Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDN359BN
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDN359BN-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Hàng tồn kho:
129702 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12924765
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDN359BN Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.7A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
650 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
FDN359
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDN359BN_F095
FDN359BNOSDKR
FDN359BNFSCTINACTIVE
FDN359BN_F095DKR
FDN359BN-DG
FDN359BNFSTR-DG
FDN359BNDKR
FDN359BN_F095DKR-DG
FDN359BNFSDKR
FDN359BNFSCT
FDN359BN_F095TR-DG
FDN359BN_F095CT-DG
FDN359BNFSTRINACTIVE
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSDKR-DG
FDN359BNCT
FDN359BNFSCT-DG
FDN359BN_F095CT
FDN359BNTR-DG
FDN359BNOSCT
FDN359BNCT-DG
FDN359BNOSTR
FDN359BNDKR-DG
FDN359BNFSDKRINACTIVE
FDN359BNTR
FDN359BN_F095TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
JANTX2N6802
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF
2SJ067400L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
JANTXV2N6784
MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF
