Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDP2572
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDP2572-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 150 V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
295 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12840289
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDP2572 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
150 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4A (Ta), 29A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
54mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
135W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FDP25
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
FDP2572FS
FDP2572-DG
ONSONSFDP2572
Q1965920
2156-FDP2572-OS
FDP2572-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
FQPF3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
