FDP2710
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FDP2710

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FDP2710-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3

Hàng tồn kho:

320 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839186
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FDP2710 Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
7280 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
260W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FDP27

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
ONSONSFDP2710
2156-FDP2710-OS

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

FDMS0310S

MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN

onsemi

FCP9N60N

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

onsemi

FDFMA2P853T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

onsemi

HUFA75337S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK