Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDPF4D5N10C
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDPF4D5N10C-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Hàng tồn kho:
898 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839253
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDPF4D5N10C Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
128A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 310µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5065 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220F-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
FDPF4
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
2156-FDPF4D5N10C-488
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HUF75329G3
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
FDS7066ASN3
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
