Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDR6674A
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDR6674A-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Hàng tồn kho:
12836189
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDR6674A Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5070 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.8W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SuperSOT™-8
Gói / Trường hợp
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
FDR66
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FDS6670A
NHÀ SẢN XUẤT
Fairchild Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2525
DiGi SỐ PHẦN
FDS6670A-DG
ĐƠN GIÁ
0.36
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQB8N60CTM
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
ATP301-TL-H
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
5HN01M-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
