Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS2170N7
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS2170N7-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Hàng tồn kho:
12848986
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS2170N7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SO FLMP
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Số sản phẩm cơ sở
FDS21
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDS2170N7CT-NDR
FDS2170N7_NLCT-DG
FDS2170N7_NLTR
FDS2170N7_NLTR-DG
FDS2170N7TR-NDR
FDS2170N7_NL
FDS2170N7_NLCT
FDS2170N7DKR
FDS2170N7CT
FDS2170N7TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FDMS2672
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1825
DiGi SỐ PHẦN
FDMS2672-DG
ĐƠN GIÁ
1.14
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
AO6415
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
