Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS2582
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS2582-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
2551 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847751
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS2582 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
150 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.1A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1290 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
FDS25
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDS2582DKR
FDS2582CT
FDS2582TR
FDS2582-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FCD4N60TM_WS
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
NTD4906NT4G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
NVMFS6B14NLWFT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN