Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS6679
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS6679-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
12837356
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS6679 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
13A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
3939 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
FDS66
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDS6679TR
FDS6679-DG
FDS6679DKR
FDS6679CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
SI4427BDY-T1-GE3
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
SI4427BDY-T1-GE3-DG
ĐƠN GIÁ
0.69
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FDS6679AZ
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
16261
DiGi SỐ PHẦN
FDS6679AZ-DG
ĐƠN GIÁ
0.33
Loại thay thế
Direct
SỐ PHẦN
AO4407A
NHÀ SẢN XUẤT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
25182
DiGi SỐ PHẦN
AO4407A-DG
ĐƠN GIÁ
0.21
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQP4N90
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
