Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS6961A_F011
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS6961A_F011-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
12837280
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
7kom
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS6961A_F011 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3.5A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
4nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
220pF @ 15V
Công suất - Tối đa
900mW
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Số sản phẩm cơ sở
FDS69
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRF9956TRPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
297
DiGi SỐ PHẦN
IRF9956TRPBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.43
Loại thay thế
Direct
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDMD82100L
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
FDS6986AS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
FDG6301N-F085P
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
