Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDS8884
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDS8884-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
7218 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12838229
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDS8884 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
23mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
635 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
FDS88
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDS8884DKR
FDS8884TR
2156-FDS8884-OS
ONSONSFDS8884
FDS8884CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
HUFA75344S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
FCA47N60F_SN00171
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
