Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDT458P
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDT458P-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Mô tả chi tiết:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Hàng tồn kho:
5713 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839270
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDT458P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3.4A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
205 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-223-4
Gói / Trường hợp
TO-261-4, TO-261AA
Số sản phẩm cơ sở
FDT458
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
FDT458P-DG
FDT458PCT
FDT458PDKR
FDT458PTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AUIRLR3110Z
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
FQD30N06TF
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
AUIRF5210STRL
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
