Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQA33N10L
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQA33N10L-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Hàng tồn kho:
12846826
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQA33N10L Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
36A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
163W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3P
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
FQA3
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
450
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
2SK1317-E
NHÀ SẢN XUẤT
Renesas Electronics Corporation
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5608
DiGi SỐ PHẦN
2SK1317-E-DG
ĐƠN GIÁ
3.29
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
NTD4959NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
FCP13N60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
