Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQA55N25
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQA55N25-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Hàng tồn kho:
12850221
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQA55N25 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
55A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
40mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6250 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
310W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3PN
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
FQA55
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXTQ86N25T
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IXTQ86N25T-DG
ĐƠN GIÁ
4.53
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IXTQ64N25P
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IXTQ64N25P-DG
ĐƠN GIÁ
4.25
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
NTHL041N60S5H
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
166
DiGi SỐ PHẦN
NTHL041N60S5H-DG
ĐƠN GIÁ
5.17
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AO4421L
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SO
HUF76445S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FQA90N10V2
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
