Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQA8N80C
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQA8N80C-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 8.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-3P
Hàng tồn kho:
12849937
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQA8N80C Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8.4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
220W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3P
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
FQA8
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDD9509L-F085
MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
FDC5614P_D87Z
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
FDA16N50LDTU
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
