Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQB2N90TM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQB2N90TM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
12850425
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQB2N90TM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
900 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.2A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
500 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FQB2
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRF540NSTRLPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7309
DiGi SỐ PHẦN
IRF540NSTRLPBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.52
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDP24N40
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
FQA34N20
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
