Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQB4N80TM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQB4N80TM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
720 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12837758
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQB4N80TM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
3.9A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
880 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FQB4N80
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
FQB4N80TMDKR
ONSONSFQB4N80TM
FQB4N80TMTR
FQB4N80TM-DG
FQB4N80TMCT
2156-FQB4N80TM-OS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
ECH8315-TL-H
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
FDP5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK