Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQB5N60CTM-WS
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQB5N60CTM-WS-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
763 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847384
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQB5N60CTM-WS Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Cut Tape (CT)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
670 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
100W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FQB5N60
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
2832-FQB5N60CTM-WS-488
FQB5N60CTM-WSDKR
FQB5N60CTM_WSDKR-DG
FQB5N60CTM_WSCT
FQB5N60CTM-WSCT
FQB5N60CTM_WSCT-DG
FQB5N60CTM_WS
FQB5N60CTM_WSTR
FQB5N60CTM-WSTR
FQB5N60CTM_WSDKR
FQB5N60CTM_WSTR-DG
2832-FQB5N60CTM-WSTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTD4810NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
AUIRFS8407
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
