Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQD12N20LTM_SN00173
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQD12N20LTM_SN00173-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12849620
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQD12N20LTM_SN00173 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
9A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD1
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FQD12N20LTM
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4955
DiGi SỐ PHẦN
FQD12N20LTM-DG
ĐƠN GIÁ
0.27
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
FQD12N20LTM-F085
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
10000
DiGi SỐ PHẦN
FQD12N20LTM-F085-DG
ĐƠN GIÁ
0.43
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
FQD12N20LTM-F085P
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1135
DiGi SỐ PHẦN
FQD12N20LTM-F085P-DG
ĐƠN GIÁ
0.70
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AO3413L
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
FQB7P06TM
MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
