Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQD13N10TM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQD13N10TM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12847223
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQD13N10TM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
450 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD13N10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FQD13N10TMDKR
2156-FQD13N10TM-OS
ONSONSFQD13N10TM
FQD13N10TM-DG
FQD13N10TMCT
FQD13N10TMTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STD10NF10T4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
12671
DiGi SỐ PHẦN
STD10NF10T4-DG
ĐƠN GIÁ
0.46
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
BUK7275-100A,118
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
68370
DiGi SỐ PHẦN
BUK7275-100A,118-DG
ĐƠN GIÁ
0.40
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDB9506L-F085
MOSFET N-CH 30V
FDS6690A_NBBM015A
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
