FQD3N30TM
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FQD3N30TM

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FQD3N30TM-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 300 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Hàng tồn kho:

12850835
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FQD3N30TM Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
300 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
230 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FQD3

Tài liệu và Hồ sơ

Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
2,500

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

FQP2N60C

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3

rohm-semi

R6050JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

onsemi

FQD6N50CTM_F080

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

onsemi

HUFA76437P3

MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3