Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQN1N60CTA
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQN1N60CTA-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
17584 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12846864
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
9gZF
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQN1N60CTA Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Box (TB)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
300mA (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
170 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1W (Ta), 3W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Số sản phẩm cơ sở
FQN1N60
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FQN1N50CTA
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3302
DiGi SỐ PHẦN
FQN1N50CTA-DG
ĐƠN GIÁ
0.24
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
STQ1NK60ZR-AP
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7349
DiGi SỐ PHẦN
STQ1NK60ZR-AP-DG
ĐƠN GIÁ
0.17
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
