Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQP11N50CF
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQP11N50CF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
12848077
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQP11N50CF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
FRFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
550mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
195W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FQP1
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXFP12N50P
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
300
DiGi SỐ PHẦN
IXFP12N50P-DG
ĐƠN GIÁ
1.71
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STP11NK50Z
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
826
DiGi SỐ PHẦN
STP11NK50Z-DG
ĐƠN GIÁ
1.27
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFB11N50APBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2122
DiGi SỐ PHẦN
IRFB11N50APBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.98
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
FDMA8878
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
