Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQP16N25C
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQP16N25C-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
12849572
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQP16N25C Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
15.6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
139W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FQP1
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRFB4229PBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
993
DiGi SỐ PHẦN
IRFB4229PBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.48
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STP17NF25
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2020
DiGi SỐ PHẦN
STP17NF25-DG
ĐƠN GIÁ
0.55
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
RCX120N25
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
RCX120N25-DG
ĐƠN GIÁ
1.05
Loại thay thế
Direct
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
FDS9431A-F085
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
