Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQP2N60
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQP2N60-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
12848940
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQP2N60 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
350 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
64W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FQP2
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRFBC20PBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
7738
DiGi SỐ PHẦN
IRFBC20PBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.47
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STP3NK60Z
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5888
DiGi SỐ PHẦN
STP3NK60Z-DG
ĐƠN GIÁ
0.58
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQP45N15V2
MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
FQI4N90TU
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA