FQP9N90C
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FQP9N90C

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FQP9N90C-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3

Hàng tồn kho:

194 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12836538
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FQP9N90C Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
900 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
205W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
FQP9

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

FQA13N50CF_F109

MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

onsemi

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

onsemi

FDN5630

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

onsemi

IRLR110ATF

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK