Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQPF1N60
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQPF1N60-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 21W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Hàng tồn kho:
12838922
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQPF1N60 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
900mA (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
150 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
21W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220F-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
FQPF1
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQD7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FQPF7N80C
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
