Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQT1N80TF-WS-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Hàng tồn kho:
12847036
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQT1N80TF-WS Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
200mA (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
195 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.1W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-223-3
Gói / Trường hợp
TO-261-3
Số sản phẩm cơ sở
FQT1N80
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
HUFA75637S3ST
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK