Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQU13N10LTU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQU13N10LTU-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Hàng tồn kho:
12846052
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQU13N10LTU Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
520 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
IPAK
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Số sản phẩm cơ sở
FQU13N10
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
70
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
TSM900N10CH X0G
NHÀ SẢN XUẤT
Taiwan Semiconductor Corporation
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
TSM900N10CH X0G-DG
ĐƠN GIÁ
0.26
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
DMN10H170SK3-13
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
252806
DiGi SỐ PHẦN
DMN10H170SK3-13-DG
ĐƠN GIÁ
0.19
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
