Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FQU9N25TU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FQU9N25TU-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Hàng tồn kho:
12847415
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FQU9N25TU Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
QFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
7.4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
700 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
IPAK
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Số sản phẩm cơ sở
FQU9N25
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
70
Tên khác
ONSONSFQU9N25TU
FQU9N25TU-DG
2832-FQU9N25TU-488
2832-FQU9N25TU
FQU9N25TUOS
2156-FQU9N25TU-OS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FQU10N20CTU
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1315
DiGi SỐ PHẦN
FQU10N20CTU-DG
ĐƠN GIÁ
0.37
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
STU7NF25
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2850
DiGi SỐ PHẦN
STU7NF25-DG
ĐƠN GIÁ
0.53
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
