HUF76629D3ST
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

HUF76629D3ST

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

HUF76629D3ST-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Hàng tồn kho:

17120 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839005
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

HUF76629D3ST Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
UltraFET™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
110W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
HUF76629

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

FQAF11N40

MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF

onsemi

FDS6699S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRF1404Z

MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB

onsemi

NTTFS4821NTAG

MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN