Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HUF76629D3ST
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HUF76629D3ST-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
17120 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12839005
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HUF76629D3ST Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
UltraFET™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
110W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
HUF76629
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
