Số sản phẩm của nhà sản xuất:
KSC2316OBU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
KSC2316OBU-DG
Mô tả:
TRANS NPN 120V 0.8A TO92-3
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
12837763
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
KSC2316OBU Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
800 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
120 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Công suất - Tối đa
900 mW
Tần số - Chuyển đổi
120MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Số sản phẩm cơ sở
KSC2316
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
6,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FJC1963STF
TRANS NPN 30V 3A SOT89-3
KSC2682OS
TRANS NPN 180V 0.1A TO126-3
30A02MH-TL-E
TRANS PNP 30V 0.7A 3MCPH