Số sản phẩm của nhà sản xuất:
MJD6039T4G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
MJD6039T4G-DG
Mô tả:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
Hàng tồn kho:
2250 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12840396
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
MJD6039T4G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Darlington
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
4 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
80 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
10µA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 4V
Công suất - Tối đa
1.75 W
Tần số - Chuyển đổi
-
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị nhà cung cấp
DPAK
Số sản phẩm cơ sở
MJD6039
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
MJD6039T4GOSTR
2156-MJD6039T4G-OS
MJD6039T4GOSCT
MJD6039T4G-DG
ONSONSMJD6039T4G
=MJD6039T4GOSCT-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
2SD1223(TE16L1,NQ)
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1345
DiGi SỐ PHẦN
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
ĐƠN GIÁ
0.31
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MJD31CT4G
TRANS NPN 100V 3A DPAK
KSC2688OSTU
TRANS NPN 300V 0.2A TO126
FZT790A
TRANS PNP 40V 3A SOT223-4
