Số sản phẩm của nhà sản xuất:
MJE170G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
MJE170G-DG
Mô tả:
TRANS PNP 40V 3A TO126
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Hàng tồn kho:
2379 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12854106
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
m8wn
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
MJE170G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
3 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
40 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Công suất - Tối đa
1.5 W
Tần số - Chuyển đổi
50MHz
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126
Số sản phẩm cơ sở
MJE170
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
500
Tên khác
ONSONSMJE170G
2156-MJE170G-OS
MJE170GOS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
KSB772YS
TRANS PNP 30V 3A TO126-3
MPSW51ARLRPG
TRANS PNP 40V 1A TO92
KSD261CGTA
TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3