Số sản phẩm của nhà sản xuất:
MJW21196G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
MJW21196G-DG
Mô tả:
TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-247-3
Hàng tồn kho:
116 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12936221
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
MJW21196G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
16 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
250 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
3V @ 3.2A, 16A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100µA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
20 @ 8A, 5V
Công suất - Tối đa
200 W
Tần số - Chuyển đổi
4MHz
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
MJW21196
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
2156-MJW21196G-OS
ONSONSMJW21196G
MJW21196GOS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SD2324-TB-E
BIP NPN 0.8A 15V
TT2096-E
BIP NPN 2A 400V
MSB92AWT1
TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
