Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NDS352P
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NDS352P-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Mô tả chi tiết:
P-Channel 20 V 850mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Hàng tồn kho:
12857804
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
dojI
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NDS352P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
850mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
125 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
NDS352
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NTR1P02LT3G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
19457
DiGi SỐ PHẦN
NTR1P02LT3G-DG
ĐƠN GIÁ
0.06
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
NTR0202PLT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
20463
DiGi SỐ PHẦN
NTR0202PLT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.08
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FDN352AP
NHÀ SẢN XUẤT
Fairchild Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
12000
DiGi SỐ PHẦN
FDN352AP-DG
ĐƠN GIÁ
0.13
Loại thay thế
Direct
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NDD02N40T4G
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
NVMFS5C426NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS5A140PLZWFT3G
MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
