Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NDS9957
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NDS9957-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 60V 2.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
12929923
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NDS9957 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.6A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
200pF @ 30V
Công suất - Tối đa
900mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Số sản phẩm cơ sở
NDS995
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
NDS9957TR
NDS9957CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS non-compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
ZXMN6A11DN8TA
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4519
DiGi SỐ PHẦN
ZXMN6A11DN8TA-DG
ĐƠN GIÁ
0.27
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP
