Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NJVMJD112G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NJVMJD112G-DG
Mô tả:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Hàng tồn kho:
12840543
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
VzF9
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NJVMJD112G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Darlington
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
2 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
100 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
20µA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Công suất - Tối đa
1.75 W
Tần số - Chuyển đổi
25MHz
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị nhà cung cấp
DPAK
Số sản phẩm cơ sở
NJVMJD112
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
75
Tên khác
2832-NJVMJD112G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MJD117T4
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
2SD1938FTL
TRANS NPN 20V 0.3A MINI3
MJD2955TF
TRANS PNP 60V 10A DPAK
