NSBA114EDXV6T1
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

NSBA114EDXV6T1

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

NSBA114EDXV6T1-DG

Mô tả:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Hàng tồn kho:

24000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12970955
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

NSBA114EDXV6T1 Thông số kỹ thuật

Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
500mW
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-563

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
4,438
Tên khác
ONSONSNSBA114EDXV6T1
2156-NSBA114EDXV6T1

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4903FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1903,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

rohm-semi

UMH25NFHATN

AUTOMOTIVE DUAL DIGITAL TRANSIST