Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NSBA114EDXV6T1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NSBA114EDXV6T1G-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Hàng tồn kho:
4000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12840670
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NSBA114EDXV6T1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
500mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-563
Số sản phẩm cơ sở
NSBA114
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
NSBA114EDXV6T1G-DG
2156-NSBA114EDXV6T1G-OS
=NSBA114EDXV6T1GOSCT-DG
NSBA114EDXV6T1GOSCT
ONSONSNSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1GOSTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NSBC144EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC114EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSB13211DW6T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88