Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NSBC114TDXV6T1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NSBC114TDXV6T1G-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Hàng tồn kho:
6880 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12854734
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NSBC114TDXV6T1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
-
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
500mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-563
Số sản phẩm cơ sở
NSBC114
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
ONSONSNSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1GOS
2156-NSBC114TDXV6T1G-OS
NSBC114TDXV6T1GOS-DG
NSBC114TDXV6T1GOSTR
NSBC114TDXV6T1GOSDKR
NSBC114TDXV6T1GOSCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MUN5114DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
NSBC114YDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
MUN5234DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
