Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NSVDTC123JET1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NSVDTC123JET1G-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Hàng tồn kho:
6000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12860138
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NSVDTC123JET1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
2.2 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
47 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Công suất - Tối đa
200 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-75, SOT-416
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-75, SOT-416
Số sản phẩm cơ sở
NSVDTC123
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2156-NSVDTC123JET1G-488
488-NSVDTC123JET1GCT
488-NSVDTC123JET1GTR
488-NSVDTC123JET1GDKR
NSVDTC123JET1G-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
UNR9114G0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSMINI3
UNR221600L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
UNR421200A
TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
