Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NSVMUN5211DW1T3G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NSVMUN5211DW1T3G-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Hàng tồn kho:
9970 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12856921
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NSVMUN5211DW1T3G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
250mW
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88/SC70-6/SOT-363
Số sản phẩm cơ sở
NSVMUN5211
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
NSVMUN5211DW1T3G-DG
2156-NSVMUN5211DW1T3G-OS
NSVMUN5211DW1T3GOSCT
NSVMUN5211DW1T3GOSTR
NSVMUN5211DW1T3GOSDKR
ONSONSNSVMUN5211DW1T3G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NSBA124EDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSVBC143ZPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC144EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563