Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NTD110N02R-001G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NTD110N02R-001G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 24 V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Hàng tồn kho:
12847173
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NTD110N02R-001G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
24 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
3440 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
I-PAK
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Số sản phẩm cơ sở
NTD110
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
75
Tên khác
2156-NTD110N02R-001G-ON
ONSONSNTD110N02R-001G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STD17NF03LT4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3239
DiGi SỐ PHẦN
STD17NF03LT4-DG
ĐƠN GIÁ
0.34
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQD3N50CTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
IRFM210BTF_FP001
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB