Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NTMJS1D5N04CLTWG
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NTMJS1D5N04CLTWG-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Hàng tồn kho:
12842514
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NTMJS1D5N04CLTWG Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
38A (Ta), 200A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 130µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-LFPAK
Gói / Trường hợp
SOT-1205, 8-LFPAK56
Số sản phẩm cơ sở
NTMJS1
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
NTMJS1D5N04CLTWG-DG
NTMJS1D5N04CLTWGOSCT
NTMJS1D5N04CLTWGOSTR
NTMJS1D5N04CLTWGOSDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NTMFS4C10NBT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
NVMFS5C410NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTMFS4119NT1G
MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN