Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NTMSD6N303R2G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NTMSD6N303R2G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hàng tồn kho:
12845286
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NTMSD6N303R2G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
FETKY™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
950 pF @ 24 V
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOIC
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
NTMSD6
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
2156-NTMSD6N303R2G
ONSONSNTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2GOS
2156-NTMSD6N303R2G-ONTR-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
3 (168 Hours)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
