Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NVD4856NT4G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NVD4856NT4G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Hàng tồn kho:
12857634
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NVD4856NT4G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
25 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2241 pF @ 12 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
DPAK
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
NVD485
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NTTFS4965NFTWG
MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
NVTFS4C06NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
NTMFS4985NFT3G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
